本书系统并扼要介绍国际上从上世纪八十年代直到今天持续活跃的关于半导体中氢的研究成果。内容涵盖从半导体中氢原子与分子的*初实验发现到氢致缺陷研究(包括国内研究人员的贡献),到硅等元素半导体至砷化镓,碳化硅等化合物半导体中氢的基本性质和重要效应。其中包括对材料和器件研制至关重要的含氢复合物,荷电杂质与缺陷的中性化,氢致半导体表面金属化或磁性改变,以及对导电性的影响。由氢的能级与电子跃迁计算导出的半导体
《半导体中的氢》系统扼要地介绍了从20世纪70年代直到近年来国内外关于半导体中氢的研究成果。内容涵盖从半导体中氢原子与氢分子的红外或拉曼光谱测定和氢致缺陷形成机理研究,到半导体中氢的基本性质和重要效应。后者包括含氢复合物,杂质与缺陷的钝化,氢引起半导体的表面金属化或磁性以及导电性的改变;特别是关于半导体中氢能级排队和化学键重要概念,以及氢在半导体表面重构中的作用等近年来新的研究进展,能使读者从电子层面深入地理解氢对材料的电子和结构性质具有强烈的和重要的影响。《半导体中的氢》涉及很多具有应用价值的新型功能电子材料的研究成果。